用于薄膜生长的全自动 MBE 硬件设置，例如用于半生产和用户方便沉积的非常高质量的原子层。 iMBE系统用于单晶的薄膜沉积，具有磁性、形貌、晶体学、膜厚等的原位表征功能 全自动和软件控制的 MBE 平台 适用于 

III/V、II/VI 族元素以及其他异质结构的生长 工艺室包含10个蒸发源端口，基板级适用于直径达4英寸的样品，并具有加热和旋转选项。 它可以通过带有线性传输系统的负载锁定室轻松进入，也可以通过差动泵门直接进入。 沉积过程可以在很宽的温度范围内进行控制（从 LN2高至 1400°C），并且可以通过 PLC 控制器进行完全软件编程和控制。 工艺室配有符合UHV标准的连接法兰

iMBE系统用于单晶的薄膜沉积，具有磁性、形貌、晶体学、膜厚等的原位表征功能

• 全自动和软件控制的 MBE 平台

• 适用于 III/V、II/VI 族元素以及其他异质结构的生长

• DN 63CF 端口中多达 10 个蒸发源，带电源

• 带电源的带阀裂解源

• 带电源的大功率电子枪

• 1-4 轴电动或手动机械手，带接收站，能够达到高达 1400°C 的高温（带有稳定、长寿命的加热元件，由固体 SiC 制成）

• 基板支架尺寸范围：从 10×10 毫米到 4 英寸

• 基本压力从 5×10 起-10至 5×10-11MBAR

• 工艺室 450 毫米，带有可更换的底部法兰，可连接 10 个端口DN 63CF，用于蒸发源

• 带门通道和差动泵系统的工艺室，

• 泵送系统（基于前级泵、TMP、离子泵和 TSP）

• 石英天平用于沉积速率测量和厚度监测器，带有 Z纵器测量焦点速率

• RHEED/TorrRHEED与设备

• 63CF 端口上的附加百叶窗

• 用于装载

• 样品架的负载锁定室

• 从负载锁定到工艺室的可靠、快速的线性传输系统

• 在2冷却罩

• 内部屏蔽 

• 带设备的真空计

• 视口 – 带百叶窗的观察窗

• 烘烤前带有集成吹气管线的冷却系统

• 烘烤系统 

• 系统的可调节刚性主机架 

• 带电子单元的 19 英寸机柜

• PLC单元和Synthesium软件全程控制沉积工艺和设备

工艺室包含10个蒸发源端口，基板级适用于直径达4英寸的样品，并具有加热和旋转选项。 它可以通过带有线性传输系统的负载锁定室轻松进入，也可以通过差动泵门直接进入。 沉积过程可以在很宽的温度范围内进行控制

（从 LN2高至 1400°C），并且可以通过 PLC 控制器进行完全软件编程和控制。

工艺室配有符合UHV标准的连接法兰，用于连接当前和未来的设备，包括： 

• 多达 10 个带法兰 DN 63CF（高温或低温，单丝或多丝）的源，

• 带法兰的百叶窗 DN 63CF，

• 带电源的带阀裂解源，

• 带电源的大功率电子枪，

• 具有温度范围（从 LN2高至 1400°C），

• 泵送系统（基于备用泵、TMP、离子泵和TSP泵），

• 带设备的真空计，

• 线性传输系统的入口端口，例如来自负载锁、径向分配室、传输隧道或运输箱，

• 带Z机械手的石英摆轮，

• RHEED/TorrRHEED与设备，

• 用于邻位层或掩模的电动或手动快门（跟随基材），

• 附加气体计量系统，例如。对于反应沉积过程，

• 视口 – 带百叶窗的观察窗，

• 残余气体分析仪，

• 光束通量监测仪，

• 用于诊断设备的加热视口。

底部法兰可以使用专门设计的手推车轻松拆卸/更换，因此为您的生长过程提供各种不同的源配置和选项。一个多功能手推车可用于更换底部法兰、冷冻面板和衬里（便于清洁）。由于可以用源代替底部法兰，一个沉积室可

以适应不同的应用。

系统的设计和功能取决于系统配置。

如果需要，该系统的模块化设计允许通过径向分配传输解决方案或传输隧道与任何其他研究平台组合和集成。

泵送系统与工艺室的标准容积相结合，可达到 5×10 范围内的基础压力-10– 5×10-11 mbar，具体取决于泵的配置。 泵送系统是不同类型泵的组合，例如前真空泵、离子泵、低温泵、涡轮泵或钛热升华泵，根据特定应用

需求单独选择以实现优异的泵送性能。 

Synthesium 过程控制软件允许各种类型和制造商的来源集成和完美合作，并实现简单的配方编写、自动生长控制和数据记录。允许基于 Tango 开源设备集成新的附加组件。

该系统配备了先进、易于使用的电源和电子设备，用于控制和支持源和整个研究设备。

本系统应用于以下前沿研究与生产领域：

本全自动iMBE系统是一套高度模块化、全软件控制、宽温区、多源配置的分子束外延平台。其10个单独的蒸发源端口、4英寸基板兼容性、LN₂至1400°C宽温区、5×10⁻¹¹ mbar极限真空及Synthesium专业控制软件，为III/V

族、II/VI族、拓扑绝缘体、氧化物及金属多层膜的单晶薄膜生长提供了行业前沿的技术平台。无论是基础科学研究，还是半生产级的器件制备，本系统都能以灵活的配置满足您的严苛需求。

如需进一步了解系统配置、定制方案或报价，欢迎联系我们。