该侧向溅射设备适于4英寸及以下基片，主要真空室内壁采用电子级抛光，确保无化学反应。配置双射频溅射源及清洗电源，支持共聚焦安装，保证了高均匀性和低污染。系统具备预真空室和冷泵，实现低于5×10^-8τ的本

底真空度。此外，它还支持气体混合控制和计算机自动化操作，适用于多种溅射沉积需求。

1.  技术规格：

衬底温度：<100℃；在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) <±5%。

2.   星空网页版配置：

2.1 主真空室：

主真空室的内壁材料为电子级抛光，与溅射材料无任何反应；前开或者侧开式真空室；有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室， 10cm直径的观察窗，并带有挡板。

2.2预真空室：

将基片从预真空室传送到主真空室的装置；安装基片的门有O型垫圈密封。

2.3泵与阀门：

主真空室配备20cm（8英寸）的冷泵， CTI带自动再生功能的；预真空室用分子泵，与主真空室通过阀门连接；主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ；预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。

主真空室应配有电离压力真空计，用于低压显示， 100mτ电容压力计显示压力，热偶或其它量表用于高压显示；预真空室配有电离压力真空计，热偶或其它量表用于高压显示；所有的量表能输出和显示。

2.4溅射源：

具有2个射频溅射源，1个射频清洗电源，2个直流溅射电源，可自动切换至任意靶位；

具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装，3英寸磁控靶、进气口和挡板构成；挡板用电动控制；溅射源之间有屏蔽保护，以防止靶材之间互相污染。

在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%（除了5mm的边缘）。

2.5基片控制：

系统适于直径100mm（4英寸）及以下基片，含碎片和4英寸衬底托盘；系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室；基片架可以用电机控制旋转，转速在0～40rpm内可精确调节；基片水冷，在连续溅射沉积金属 300nm后，基片的温度不能超过100℃；基片可以在-80°到80°范围内倾斜，控制精度优于0.5°。

2.6工艺气体控制：

系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室；每路气体管线有阀门和流量计控制；系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力；在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。

2.7计算机控制系统：

能够控制所有的功能，具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。

3.工艺能力与系统优势：

4.本侧向溅射系统应用于以下研究与生产领域：

本侧向溅射系统是一套高真空、多靶位、低温沉积的薄膜制备平台。其4英寸基片 ±5%均匀性、<100℃ 低温工艺、共聚焦3英寸靶位、基片倾斜旋转及全自动控制等主要特性，使其特别适合于对薄膜质量、均匀性和衬底温

度有严格要求的科研与中试生产应用。如需进一步了解系统配置、定制选项或报价，欢迎联系我们。