SU8负性光刻胶，完全针对微机械加工微电子应用，高对比度，环氧树脂类负性光刻胶。

具有垂直侧壁的高纵横比成像

近紫外（350-400nm）处理

单旋涂膜厚度为1.5至200µm

高度耐化学性和耐温度性

与已建立的SU-8光刻工艺完全兼容

数据说明：膜厚范围和曝光能量均为典型值，实际工艺条件需根据具体设备与要求进行优化。

优势与特点：

• 高纵横比成像：可形成具有垂直侧壁的高精度结构。

• 宽厚度范围：单次旋涂膜厚覆盖 1.5 µm 至 200 µm，满足不同工艺需求。

• 工艺兼容性：与已建立的SU-8光刻工艺完全兼容，便于直接替换或整合。

• 优异稳定性：固化后具有高度的耐化学性和耐温性，适合后续严苛工艺。

• 宽紫外响应：专为近紫外（350-400 nm） 光源优化。