在液体蚀刻剂中蚀刻晶片涉及整个晶片与蚀刻剂接触。我们的湿处理晶片卡盘可以保护晶片的背面免受攻击。通过这种方式，可以
蚀刻深结构，而不需要掩模背面。可以制造任何晶片尺寸的卡盘以及单芯片卡盘。 星空网页版描述 卡盘由晶片夹持器和夹紧环组成。晶片
放置在夹持器上，由夹紧环固定，夹紧环拧在卡盘上。三个精密密封圈确保晶片的防漏夹紧。夹持器中用户定义的凹槽最大限度地减
少了夹紧晶片上的应力。 卡盘由PEEK制成，PEEK能够抵抗微细加工中使用的大多数蚀刻溶液（HF、KOH、TMAH）。 对于薄膜的
制造，可以添加通风管，将卡盘中的封闭空气连接到大气压。如果蚀刻溶液被加热，强烈建议这样做。

湿蚀刻或电沉积过程中用于背面保护的湿处理晶片卡盘：我们为直径在2英寸至200毫米之间、厚度在所需范围内的晶片制造卡盘。
可以根据要求制造定制卡盘。可以制造用于KOH和HF蚀刻以及浸入其他化学物质的卡盘。带有集成环形电极的卡盘可以在电镀过程
中均匀化晶片上的电流密度分布。可以根据您的需求设计用于多个湿处理晶片夹具的晶片卡盘载体。大多数载体的设计都是为了完
全适合我们客户的蚀刻设备。

下面，我们列出了湿法蚀刻微细加工工艺中使用的一些标准化学品，这些化学品与WPWC兼容：

HF（氢氟酸）

KOH（氢氧化钾）

TMAH（四甲基氢氧化铵）

星空网页版代码：WPWC

晶圆尺寸：2英寸至200毫米，可定制尺寸

蚀刻剂兼容性：HF、KOH、TMAH，可根据要求提供其他化学品

材料

支架：PEEK

夹紧环：PEEK

螺钉：PEEK

密封：取决于使用的化学品

内部尺寸（mm）

密封圈厚度：1.78

建议边缘排除：5

外形尺寸（mm）

直径晶圆尺寸：+40

厚度：25

螺钉：M6

晶圆厚度公差（µm）：晶圆厚度+/-80

温度范围：5至150摄氏度